Поиск
Маршруты

HTPC-Home.ru

Обзор
Товары и услуги
Фото
20
Отзывы
177
Особенности
Cистемы охлаждения
DDR 2
DDR 3
DDR 4
DDR 5
IDE
USB Flash drive
Блоки питания
Видеокарты
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Для ноутбуков (SODIMM)
Для ПК (DIMM)
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Компьютерные корпуса
Показать все категории
Оперативная память (Random Access Memory)
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N6/2G DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
700 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MT16JTF1G64AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 DDR3L 1600 SO-DIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В
1000 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3H1 DDR4 2400 SO-DIMM
модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43BB0-CPB DDR4 2133 SO-DDR
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3N9/4G DDR3 1333 DIMM OEM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston HP698650-154-KEF/4 DDR3 1600 DIMM
900 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR21S15S8/8 DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2200 ₽
4Gb Patriot SODIMM PC3-10600 1333MHz PSD34G13332S
700 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1G43DB0-CPB DDR4 2133 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
3500 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LN11/4 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
500 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFD8213 DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2500 ₽
16Gb Kingston HyperX Fury HX426C16FB/16 DDR4 DIMM PC4-21300 CL16
4500 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3200 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KCP424NS8/8 DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц
3300 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BA160BJ DDR3 1600 DIMM 8chip
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В
800 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173DB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160BJ DDR-3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4DFS824A DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KCP424SS8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4SFD824A DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3820 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston MSI24D4S7D8MB-8 DDR4 2400 SODIMM
2800 ₽
Оперативная память 8Gb Patriot PSD48G213381S DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2000 ₽
Оперативная память 4Gbx2 Kit Kingston KVR1333D3N9K2/8G DDR3 1333 DIMM
2 модуля памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 16 chip двусторонняя упаковка
1600 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1600 МГцCAS Latency (CL): 11Количество чипов каждого модуля 16
700 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BA1339 DDR3 1333 DIMM 16 chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16
600 ₽
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3000 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2800 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM Оригинал
Оригинальный модуль Samsung M471A1K43CB1-CRC 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц Пропускная способность PC 19200 CAS Latency (CL): 17
2500 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГ 16 chip
650 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6CFR8C-PB DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц 16 chip
700 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMT41GS6AFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26N19S8/8 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1700 ₽
Оперативная память 16Gb Crucial CT16G4SFD8266 DDR4 2666 SO-DIMM
Оригинальный модуль 16Gb Crucial CT16G4SFD8266 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3000 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3800 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-VK DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2900 ₽
Оперативная память 16Gb Ramaxel RMSA3300ME78HBF-2666 DDR4 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M378B1G73QH0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M378A1K43BB1-CPB DDR4 2133 DIMM
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1800 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143SB1-CRC DDR4 2400 SO-DDR
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
600 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160B DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1000 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125S64CP8-S6 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц
500 ₽
Оперативная память 2GB SAMSUNG M470T566QZ3-CE6 DDR2 667 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR2объем модуля 2 ГБформ-фактор SODIMM, 200-контактныйчастота 667 МГц
600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-PB DDR3 1600 SODIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
1100 ₽
Оперативная память 4Gb Nanya NT4GC64B8HG0NS DDR3 1333 SODIMM 16chip
900 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR26S19D8/16 DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2750 ₽
Оперативная память 2ГБ Kingston KVR667D2S5/2G DDR2 667 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 667 МГц CAS Latency (CL): 5
900 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6MFR8C DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
700 ₽
Оперативная память 16Gb HP HP28D4S7D8HA-16X DDR4 2800 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2800 МГц
3000 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G3E1 DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3300 ₽
Оперативная память 8Gb Corsair CMK8GX4M1A2666C16 DDR4 2666 DIMM (Black)
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц радиатор
2700 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
900 ₽
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial Ballistix Elite BLE8G3D21BCE1 DDR3 2133 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 2133 МГц радиатор
3100 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G3H1 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
4200 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ValueRAM KCP316NS8/4 DDR3 1600 DIMM
700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR32S22S8/8 DDR4 3200 SODIMM
Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22-22-22-32 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600
1400 ₽
Оперативная память 4Gb HyperX Impact HX316LS9IB/4 DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 9
1100 ₽
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424C15FB3AK4/32 Fury RGB DDR4 2400 DIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц радиатор
9900 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
1800 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston ValueRAM KVR32S22S8/16 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston KVR32S22S8/16 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
2700 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR32S22D8/16 DDR4 3200 SODIMM CL22
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
3200 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2900 ₽
Оперативная память 8GB Kingston ValueRAM KCP316ND8/8 DDR3 1600 DIMM
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KHYXPX-MIE SODIMM PC4L-21300 2666MHz 8chip
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43EB1-CPB DDR4 2133 SODIMM
4850 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143DB0-CPB DDR4 2133 SODIMM
900 ₽
Оперативная память 4Gbx4 Kingston HyperX HX421S14IBK4/16 DDR4 2133 SODIMM CL13
объем памяти: 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ) тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 14-14-14 напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Fury RGB HX430C15FB3AK4/64 DDR4 3000 DIMM
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Fury RGB HX430C15FB3AK4/64 DDR4 3000 DIMM
17550 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 3200 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
500 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
1300 ₽
Оперативная память 8GB Micron MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 DDR4 3200MHz SODIMM CL22
Оригинальный модуль памяти Micron объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
3500 ₽
Оперативная память 8GB Kingston KVR16N11/8 DDR3 1600 DIMM OEM
Объем памяти 8 ГБ Тип DDR3 DIMM 240-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11 Напряжение питания 1.5 В Пропускная способность PC12800 Особенности низкопрофильная (Low Profile)
1400 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
3200 ₽
Оперативная память 4Gb HyperX HX432C16FB3/4 DDR4 3200 DIMM
Тип памяти DDR4 DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 4 ГБ Объем одного модуля памяти 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц
900 ₽
Оперативная память 32GB Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
6800 ₽
Оперативная память 32Gb Kingston ValueRAM KVR32S22D8/32 DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
6000 ₽
Модуль памяти 8Gb Ramaxel RMSA3260KC78HAF-2666 DDR4 2666 SODIMM
2500 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA8ATF2G64HZ-3G2E2 DDR4 3200 SODIMM
3500 ₽
Оперативная память 8GB Hynix HMA81GU6JJR8N-VK DDR4 2666 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В
2600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8A-PB DDR3L 1600 SODIMM CL11
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
800 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 DDR3L 1600 SODIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ACR16D3LS1NGG/4G DDR3L 12800 SODIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix HMAA2GS6CJR8N-XNобъем памяти: 16 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 3200 МГцПропускная способность 25600 Мб/стайминги: 22-22-22напряжение питания: 1.2 В
3500 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 3200 МГцнапряжение питания: 1.2 Впропускная способность: PC25600
2900 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial Value CT8G4DFRA32A DDR4 3200 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
1700 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43BB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
5500 ₽
Модуль памяти 8GB Crucial CT8G4SFRA266.C16FG DDR4 2666 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 8 ГБ тактовая частота: 2666 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 8 ГБ тактовая частота: 3200 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
2300 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
оригинальный модуль памяти Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
3500 ₽
Оперативная память 8GB Transcend JM3200HSB-8G JetRam DDR4 3200 SODIMM
Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600
2500 ₽
Оперативная память 2GB SAMSUNG M470T5663RZ3-CF7 DDR2 800 SO-DIMM
Объем памяти 2 ГБ Тип DDR2 SODIMM 200-pin Тактовая частота 800 МГц Тайминги 6-6-6 Напряжение питания 1.8 В Пропускная способность PC6400
700 ₽
Оперативная память 16Gbx4 Crucial BLT4K16G4D26BFT4 Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4 2666 МГц CL16
Объем памяти 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 16-18-18 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300 Особенности радиатор, XMP, RGB-подсветка, игровая
17000 ₽
Оперативная память 8Gb Transcend JM2666HSB-8G DDR4 2666 МГц SODIMM CL19
Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300
1700 ₽
Оперативная память 8Gb Ramaxel RMSA3260MD78HAF-2666 DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3200 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMA82GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
3000 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6H1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6H1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 17 Подходит для Synology NAS DS220+ DS420+ DS423+ DS720+ DS920+
4000 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFS832A DDR4 3200 SODIMM
количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 8 ГБ тип DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота 3200 МГц напряжение питания 1.2 В пропускная способность PC25600
2000 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663DZ3-CF7 DDR2 800 DIMM
Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 2 ГБ Тип DDR2 DIMM 240-pin Тактовая частота 800 МГц Напряжение питания 1.8 В Пропускная способность PC6400
900 ₽
Оперативная память 2Gb ADATA ADOVF1B163GE DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц
600 ₽
Оперативная память 4Gb Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 DDR3 1600 SODIMM CL11
1490 ₽
Оперативная память 8Gbx2 Kingston FURY Beast KF432C16BBK2/16 DDR4 3200 DIMM
Количество модулей в комплекте: 2 шт. Объем одного модуля: 8 ГБ Тип: DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота: 3200 МГц Тайминги: 16-18-18-32
4850 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KYXCOV-MIDS17324 DIMM 2400MHz
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3700 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1K43EB2-CWE DDR4 3200 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность памяти 25600 Мб/сек тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В
1400 ₽
Оперативная память 4Gb Geil GB38GB1600C9DC DDR3 1600 DIMM CL9
Тип DDR3 Форм-фактор DIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 4 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 CL 9 Напряжение питания 1.5 В
900 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston HP26D4S9S8MD-8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston HP26D4S9S8MD-8 объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В Пропускная способность PC21300 8 чипов двусторонняя упаковка
1600 ₽
Оперативная память 4Gb Elixir M2F4G64CB8HG5N-CG DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1333 МГцCAS Latency (CL): 916 чипов двухсторонняя
700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LN11/8 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1700 ₽
Оперативная память 32GB Crucial CT32G56C46S5 DDR5 5600 SODIMM CL46
Оригинальный модуль 32GB Crucial CT32G56C46S5 Память емкость 32 ГБ Форм-фактор SO-DIMM Тип DDR5 Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность 44800 МБ/с CL 46 Тайминги 46-45-45 Напряжение 1,1 В
8400 ₽
Оперативная память 32GB Samsung M425R4GA3BB0-CWM0L DDR5 PC5-5600 SODIMM CL46
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM0L емкость 32 ГБ Форм-фактор SO-DIMM Тип DDR5 Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность 44800 МБ/с CL 46 Тайминги 46-45-45 Напряжение 1,1 В
9900 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ACR512X64D3U139G DDR3 1333 DIMM
Оригинальный модуль Kingston ACR512X64D3U139G тип памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц Количество чипов каждого модуля 16
700 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KTH9600CS/4 DDR3 1600 DIMM
Оригинальный модуль Kingston KTH9600CS/4 тип памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
700 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M425R2GA3BB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM0D Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 16 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГ Пропускная способность, Мб/с 44800
3500 ₽
Оперативная память 32Gb Kingston KVR48S40BD8-32 DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston KVR48S40BD8-32 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 32 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность, Мб/с 38400 CAS Latency (CL) 40 Тайминги 40-40-40
8500 ₽
Модуль памяти 4Gb Corsair Vengeance CMZ4GXM1A2133C9R DDR3 2133 DIMM
Оригинальный модуль Corsair Vengeance CMZ4GXM1A2133C9R тип памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 2133 МГц
1000 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M425R2GA3BB0-CQK DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CQK0L Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 16 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 4800 МГ Пропускная способность, Мб/с 38400 Напряжение 1.1В Латентность (CAS) CL40
3900 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль Micron MTA4ATF51264HZ-3G2R1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 11
500 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMA82GS6CJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль 16Gb Hynix HMA82GS6CJR8N-XN объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
3000 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663EH3-CE6 DDR2 667MHz SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 667 МГц CAS Latency (CL): 5
700 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMCG78AGBSA092N DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 16 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц Пропускная способность 48000 Мб/с
4500 ₽
Оперативная память 16GB Samsung M378A2K43EB1-CWE DDR4 3200 DIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность памяти 25600 Мб/сек тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16N11/8WP DDR3 1600 DIMM Low Profile
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6BFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
550 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6AFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
550 ₽
Оперативная память 8Gbx2 Kingston HyperX Fury HX313C9FBK2/16 DDR3 1333 DIMM CL9
объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-36 напряжение питания: 1.5 В
4000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LN11/8 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1300 ₽
Оперативная память 16Gbx4 HyperX Fury HX434C17FB4AK4/64 DDR4 3466 DIMM RGB
объем памяти: 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3466 МГц тайминги: 17-17-21-21 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC27700 радиатор: да RGB-подсветка: да поддержка XMP: да
22000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M471A1K43DB1-CWE1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 ГБформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 3200 МГц
2000 ₽
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K4/64 DDR4 3000 DIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3000 МГц радиатор CAS Latency (CL): 15
16000 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
800 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1800 ₽
Оперативная память 8GB Hynix Original HMA81GU6AFR8N-UH DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1800 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFS824A DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
2500 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M474A2K43BB1-CRCQ DDR4 2400 SODIMM ECC
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17 Поддержка ECC
4500 ₽
Оперативная память 8GB HyperX Fury RGB HX424C15FB3A/8 DDR4 2400 DIMM CL15
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 пропускная способность: PC25600
1700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston ACR24D4U7S8MB-8 DDR4 2400 DIMM CL17
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1A2 DDR4 2133 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2133 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC17000
2500 ₽
Оперативная память 8GB Kingston KVR32S22S6/8 DDR4 3200MHz SODIMM CL22
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
1800 ₽
Оперативная память 8GB HYNIX HMA81GS6JJR8N-VK DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2500 ₽
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424S15IB2K4/32 DDR4 2400 SODIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 15
6800 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6MFR8N-UH DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ DDR4 2666 SODIMM
Тип памяти DDR4 Тактовая частота (МГц) 2400 МГц Форм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM) Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Производитель Micron Количество модулей 1 Напряжение питания 1.2 В
1900 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6CFR8C-H9 DDR3 1333 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц Количество чипов каждого модуля 16
700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston HP26D4S9S8ME-8 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
1400 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KMKYF9 SODIMM PC4L-19200 2400MHz 8chip
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173QH0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
500 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP112S64CP6 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц
600 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2S6/2G DDR2 800 SODIMM
объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6 напряжение питания: 1.8 В
600 ₽
Оперативная память 16GB Samsung Original M393A2K40BB0-CPB DDR4 2133 DIMM ECC REG
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В
4000 ₽
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3310MJ86H9F-3200 DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В
900 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 15
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 пропускная способность: PC25600
1800 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-35 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16 chip
тип: DDR3L объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 чипов памяти 16 шт.
1000 ₽
Оперативная память 8Gb Geil DIMM PC3-12800 1600MHz CL11
1000 ₽
Оперативная память 8Gb HyperX Impact HX421S13IB2/8 DDR4 2133 SO-DIMM
Тип DDR4 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте1 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность PC17000 CL 13 Напряжение питания 1.2 В Количество контактов 260
3000 ₽
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
Твердотельный накопитель 360GB SSDPEKKA360G701 INTEL P3100 M.2
SSD диск для сервера объем 360 ГБ форм-фактор 2280 разъем M.2 интерфейс PCI-E 3.0 x4
4930 ₽
Твердотельный накопитель 128Gb M.2 PCI-E 2230 M Toshiba KBG40ZNS128G
форм-фактор: 2230, емкость: 128 ГБ, назначение: для ноутбука и настольного компьютера, разъем: M.2, интерфейсы: PCI-E, скорость чтения: 2000 МБ/с, скорость записи: 800 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC,
1500 ₽
Твердотельный накопитель 250Gb Samsung 870 EVO MZ-77E250BW
линейка: 870 EVO емкость 250 ГБ для ноутбука и настольного компьютера форм-фактор: 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s
3500 ₽
Твердотельный накопитель 1Тб Samsung 980 MZ-V8V1T0BW
форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x
7900 ₽
Твердотельный накопитель 2Тб Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW
форм-фактор: 2.5" емкость: 2000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 2048 МБ
15500 ₽
Твердотельный накопитель 2Тб Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW
Оригинальный SSD 2TB Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW форм-фактор: 2280 емкость: 2000 Gb скорость чтения/записи: 7000 Mb/с / 5000 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb
17000 ₽
Твердотельный накопитель 250Gb WD Blue SN570 WDS250G3B0C TLC
емкость: 250 ГБ, форм-фактор: 2280, назначение: для ноутбука и настольного компьютера, интерфейсы: PCI-E, линейка: WD Blue, скорость чтения: 3300 МБ/с, скорость записи: 1200 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC, время наработки на отказ: 1500000 ч
2800 ₽
Твердотельный накопитель 250Gb WD Black SN750 SE WDS250G1B0E M.2 2280 PCI-e
Тип внутренний Объем 250 ГБ Форм-фактор M.2 NVMe Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Phison E19T Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 1000 МБ/с Внешняя скорость считывания 3200 МБ/с
3770 ₽
Твердотельный накопитель 512ГБ Micron 2400 MTFDKBA512QFM M.2 PCI-E Gen4 x4
Оригинальный накопитель фирмы Micron 2400 MTFDKBA512QFM Емкость накопителя 512 Гб Поддержка NVMe Есть Интерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4 Скорость чтения до 4200 МБ/сек Скорость записи До 1800 МБ/сек Формат накопителя M.2 Type 2280 M Key
3400 ₽
Твердотельный накопитель 4Тб Samsung T9 MU-PG4T0B/WW External SSD
39000 ₽
Внешний SSD 2Тб Samsung T9 MU-PG2T0B/WW
Исключительно быстрая передача Универсальная совместимость Превосходная надежность Емкость 2 ТБ Скорость чтения/записи до 2000 МБ/с Форм-фактор 1.8" Тип флэш-памяти 3D NAND Подключение к компьютеру USB 3.2 Gen 2x2 (20 Gbps) Материал корпуса пласти...
21400 ₽
Твердотельный накопитель 512ГБ Micron 2450 MTFDKBA512TFK PCIe Gen4
Емкость: 512 ГБ Форм-фактор: M.2 2280 Назначение: для ноутбука и настольного компьютера Разъем: M.2 Интерфейсы: PCI-E 4.0x4 Скорость чтения: 3700 МБ/с Скорость записи: 3400 МБ/с Тип флэш-памяти: 3D TLC NAND Время наработки на отказ: 200000...
3400 ₽
Внешний SSD 512Gb из алюминиевого сплава с защитой от записи
Внешний SSD M.2 NVMe 2230 JMS583 из алюминиевого сплава с защитой от записи Емкость 512Gb Материал корпуса: алюминиевый сплав Скорость чтения и записи: 1000 МБ/с Размер продукта: длина 9,4 см/ширина 4 см/высота 1,07 см Кнопка защиты от записи с фу...
6500 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb Western Digital SN740 SDDQNQD-512G-1004 OEM
Оригинальный накопитель фирмы Western Digital PC SN740 Емкость накопителя 512 Гб Поддержка NVMe Есть Интерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4 Скорость чтения до 3550 МБ/сек Скорость записи До 4200 МБ/сек Формат накопителя M.2 Type 2280 ...
3600 ₽
Внешний SSD 4Тб Transcend ESD380С USB 3.2 Gen 2x2
Исключительно быстрая передача Универсальная совместимость Превосходная надежность Емкость 4 ТБ Скорость чтения/записи до 2000 МБ/с Форм-фактор 1.8" Тип флэш-памяти 3D NAND Подключение к компьютеру USB 3.2 Gen 2x2 (20 Gbps) Корпус накопителя изгот...
34000 ₽
SSD накопитель 512ГБ Micron 2400 MTFDKCD512QFM PCI-E 2242
Оригинальный накопитель фирмы Micron 2400 MTFDKCD512QFM Емкость накопителя 512 Гб Поддержка NVMe Есть Интерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4 Скорость чтения до 4200 МБ/сек Скорость записи До 1800 МБ/сек Формат накопителя M.2 Type 2242 M Key
3700 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb Samsung PM9C1a PCI-E 2242
Оригинальный накопитель фирмы Samsung PM9C1a Емкость накопителя 512 Гб Поддержка NVMe Интерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4 Скорость чтения до 6000 МБ/сек Скорость записи до 5600 МБ/сек Формат накопителя M.2 Type 2242 M Key
3700 ₽
SSD 2Тб Corsair MP600 PRO LPX CSSD-F2000GBMP600PLPW M.2 NVMe PCIe x4 Gen4
форм-фактор: 2280 емкость: 2000 Gb Назначение для настольного компьютера, игровой скорость чтения/записи: 7100 Mb/с / 6800 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 полная совместимость с PlayStation 5 радиатор
16500 ₽
SSD 1Тб Western Digital SN740 SDDPTQD-1T00 OEM PCI-E Gen4 x4 2230
Оригинальный накопитель фирмы Western Digital PC SN740 Емкость накопителя 1024 Гб Поддержка NVMe Есть Интерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4 Скорость чтения до 5150 МБ/сек Скорость записи до 4900 МБ/сек Формат накопителя M.2 Type 2230 ...
9000 ₽
Твердотельный накопитель 1Тб SATA Plextor PX-1TM6Pro 2.5" MLC+3.5" адаптер
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера объем 1024 ГБ форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gbit/s
14000 ₽
Твердотельный накопитель 1Тб Intel SSDPE2KX010T701 U2
емкость 1000 ГБ для сервера форм-фактор: 2.5" интерфейс PCI-E U2
12500 ₽
Внешний SSD 1Тб Samsung T7 Shield синий MU-PE1T0R/WW
Оригинальный внешний SSD Samsung T7 Shield Код производителя MU-PE1T0S/WW Основной цвет синий Объем накопителя 1000 ГБ Максимальная скорость записи (сжатые данные) 1000 Мбайт/сек Максимальная скорость чтения (сжатые данные) 1050 Мбайт/сек Интерфей...
10800 ₽
Твердотельный накопитель 1Тб Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
форм-фактор: 2280 емкость: 1000 Gb скорость чтения/записи: 7450 Mb/с / 6900 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb Ресурс SSD 600 TBW
9700 ₽
Твердотельный накопитель 500Gb M.2 2280 M Samsung 980 Series MZ-V8V500BW
форм-фактор: 2280, Mемкость: 500 ГБскорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/синтерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4объем буфера: 512 МБ
4400 ₽
Твердотельный накопитель 2Тб Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
15500 ₽
Твердотельный накопитель 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW
форм-фактор: 2.5" емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 512 МБ
4500 ₽
Твердотельный накопитель 4Тб Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
форм-фактор: 2280 емкость: 4000 Gb скорость чтения/записи: 7450 Mb/с / 6900 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb Ресурс SSD 2400 TBW
32500 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb Kingston KC600 SKC600/512G 2.5" TLC Оригинал
форм-фактор: 2.5" емкость: 512 ГБ скорость чтения/записи: 550 МБ/с / 520 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
4000 ₽
Термопаста и термопрокладки
Концентрат Coollaboratory Liquid Coolant Pro - UV Blue
концентрат жидкости для СЖО уф-синий 100мл
600 ₽
Термопрокладка AOK 50x100x1.0mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40 Внешний вид Эластичный мягкий листовой материал Цвет Светло-зеленный Конструкция и состав Силикон, керамический наполнитель Липкость Обладает естественной липкостью с двух сторон Толщина, мм 1.0 (ASTM D374) Плотность, г/см? 2...
600 ₽
Термопрокладка AOK 50x100x1.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40 Внешний вид Эластичный мягкий листовой материал Цвет Светло-зеленный Конструкция и состав Силикон, керамический наполнитель Липкость Обладает естественной липкостью с двух сторон Толщина, мм 1.0 (ASTM D374) Плотность, г/см? 2...
700 ₽
Термопрокладка AOK 100x100x1.0mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40 Внешний вид Эластичный мягкий листовой материал Цвет Светло-зеленный Конструкция и состав Силикон, керамический наполнитель Липкость Обладает естественной липкостью с двух сторон Толщина, мм 1.0 (ASTM D374) Плотность, г/см? 2...
840 ₽
Термопрокладка AOK 50x100x0.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
500 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 50 x 50 x 0.5 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
200 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 50 x 50 x 1.0 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
250 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 50 x 50 x 1.5 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
350 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 50 x 50 x 2.0 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
450 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 100 x 100 x 1.0 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая 2
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
800 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 100 x 100 x 1.5 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
1200 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 100 x 50 x 0.5 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая 2
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
400 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 100 x 50 x 1.0 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая 3
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
500 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 100 x 50 x 1.5 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая 3
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
700 ₽
Термопрокладка AOK TP500H50 100 x 50 x 2.0 мм 5.0 Вт/м*К Мягкая 1
Наименование TP500H50 Elevated Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 5.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 50 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +200 Плотность (г/ куб.см) 3.2 (ASTM D792) Напряжение п...
900 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 50 x 50 x 1.0 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
400 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 50 x 50 x 1.5 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
550 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 50 x 50 x 1.75 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 2
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
700 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 50 x 50 x 2.0 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
950 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 50 x 50 x 2.25 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 1
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
1200 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 100 x 50 x 1.0 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 3
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
800 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 100 x 50 x 1.5 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 2
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
1100 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 100 x 50 x 1.75 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 2 1
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
1400 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 100 x 50 x 2.0 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 2
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
1900 ₽
Термопрокладка AOK TP800H55 100 x 50 x 2.25 мм (8.0 Вт/м*К) Мягкая 1 1
Наименование TP800H55 High Performance Gap Filler Pad Теплопроводность (Вт/м•К), не менее 8.0 (ISO 22007-2) Твердость (Shore OO) 55 (ASTM D2240) Диапазон рабочих температур (°C) от -40 до +150 Плотность (г/ куб.см) 3.35 (ASTM D792) Напряжение проб...
2500 ₽
Термопаста Arctic MX-5 4 г шприц
Упаковка:шприц термопаста шприц плотность 3.2 г/см³ рабочая температура от -40 °C до 180 °C теплопроводность 8.5 Вт/мК
1000 ₽
Термопрокладка AOK 100x100x1.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40 Внешний вид Эластичный мягкий листовой материал Цвет Светло-зеленный Конструкция и состав Силикон, керамический наполнитель Липкость Обладает естественной липкостью с двух сторон Толщина, мм 1.0 (ASTM D374) Плотность, г/см? 2...
1400 ₽
DDR 4
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43BB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3700 ₽
Оперативная память 32GB Kingston KVR32N22D8/32 DDR4 3200 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
4500 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston FURY Impact KF426S15IB/8 DDR4 2666 SO-DIMM
Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 15-17-17 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300 Особенности радиатор
3340 ₽
Оперативная память 32Gb Micron MTA16ATF4G64HZ-3G2E2 DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
6500 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFRA32A DDR4 3200 SODIMM
Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22-22-22-46 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston HP24D4S7S8MBP-8 DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KF432C16BBA/8 FURY Beast RGB DDR4 3200 DIMM CL16
количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 8 ГБ тип DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота 3200 МГц тайминги 16-18-18 напряжение питания 1.35 В пропускная способность PC25600 особенности радиатор, XMP, RGB-подсветка, игровая
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6J1 DDR4 2666 SODIMM
2500 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFD8213.M16FB DDR4 2133 SODIMM 16chip
Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2133 МГц Тайминги 15 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC17000 Количество рангов 2 Количество чипов памяти 16
1500 ₽
Оперативная память 16Gb Apacer AS16GGB26CQYBGH DDR4 2666 SODIMM
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Ramaxel RMSA3310MF96HAF-3200 DDR4 3200 SODIMM
RMSA3310MF96HAF-3200 - это оперативная память производства Ramaxel. Эта модель DDR4 работает на частоте 3200 МГц и имеет форм-фактор SODIMM.
1600 ₽
8Gb Patriot PSD48G213381H DDR4 DIMM CL15
PSD48G213381H
2500 ₽
Оперативная память 32Gb Apacer AU32GGB32CSBBGH DDR4 3200 DIMM
Форм-фактор DIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 32 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность, Мб/с 25600 CAS Latency (CL) 22
4000 ₽
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6CJR8N-UH DDR4 2400 SODIMM
Оригинальный модуль памяти 16Gb HYNIX HMA82GS6CJR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц
3500 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMAG68EXNSA051N DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти 8Gb Hynix HMAG68EXNSA051N 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
1800 ₽
Модуль памяти 16Gb Samsung M471A2G43CB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
3200 ₽
Модуль памяти 8Gb QUMO QUM4S-8G2400C16 DDR4 2400 SODIMM 2400 CL16
Оригинальный модуль памяти QUMO 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 16
1000 ₽
Оперативная память 16Gbx4 CORSAIR Vengeance CMK64GX4M4D3000C16 DDR4 3000 DIMM
Объем памяти 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3000 МГц Тайминги 16-20-20-38 Пропускная способность PC24000 Особенности радиатор напряжение питания: 1.35 В
18000 ₽
Оперативная память 16Gb QUMO QUM4S-16G2666P19 DDR4 SODIMM 2666 CL19
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19 пропускная способность: PC21300
2000 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6J1 DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 17
4500 ₽
Модуль памяти 16Gb Kingston K821PJ DDR4 2400 SODIMM
2800 ₽
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Жесткий диск 2Tb SATA Seagate Mobile HDD ST2000LM007 2.5" 5400rpm 128Mb
жесткий диск для ноутбука объем 2000 Гб форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s
7500 ₽
Переходник жесткого диска с 2.5 на 3.5 HDD/SSD
Салазки-переходник это кронштейн, предназначенный для установки жёсткого диска 2.5 дюйма в отсек для жёсткого диска 3.5 дюйма в корпусе ПК, изготовлен из пластика.
350 ₽
Жесткий диск 300Gb SAS Seagate Enterprise Performance 10K ST300MM0048 2.5" 10000rpm 128Mb
жесткий диск для сервера объем 300 ГБ форм-фактор 2.5" интерфейс SAS
5500 ₽
Жесткий диск IBM 9FK066-039 300Gb SAS 2,5" HDD
5500 ₽
Жесткий диск 10 Tb Seagate Exos 7E10 ST10000NM017B
Серия продукции: Exos Тип: HDD Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: 3,5" Номинальный объем, ГБ: 10000 Объем после форматирования, ГБ: 9314 Объем буфера, МБ: 256 Максимальная скорость вращения, Об/мин: 7200 Внешняя скорость пер...
22000 ₽
Жесткий диск 2Тб Western Digital Purple WD23PURZ 3.5" 256Mb
для систем видеонаблюдения объем 2000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s Объем кэш-памяти 64 МБ Скорость вращения шпинделя 5400 об/мин
7000 ₽
Жесткий диск 6Тб Seagate Skyhawk ST6000VX009 3.5"
для систем видеонаблюдения объем 6000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s Объем кэш-памяти 256 МБ Скорость вращения шпинделя 5400 об/мин
12000 ₽
Жесткий диск 6Тб Western Digital WD64PURZ 3.5"
для систем видеонаблюдения объем 6000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s Объем кэш-памяти 256 МБ Скорость вращения шпинделя 5400 об/мин
15000 ₽
Внешний диск 2Тб Seagate Basic STJL2000400 Black
Оригинальный портативный диск Seagate Емкость 2 ТБ Форм-фактор 2.5" Подключение к компьютеру USB 3.0 Скорость вращения 5400 об/мин Материал корпуса Пластик Вес 170 г
7000 ₽
Жесткий диск IBM 9FU066-050 147Gb SAS 2,5" HDD
9FU066-050. Интерфейс диска SAS на этом устройстве отлично подходит для подключения серверной материнской платы с жесткими дисками. Емкость 147 ГБ (гигабайт), скорость вращения шпинделя 15000 об / мин. Размер кэша составляет 16 МБ (мегабайт). Форм...
3200 ₽
Жесткий диск 1Tb SATA Western Digital Black WD1003FZEX 3.5"
жесткий диск для настольного компьютера объем 1000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s
4990 ₽
Жесткий диск 8Tb Western Digital Purple WD84PURZ 3.5"
назначение: для систем видеонаблюдения объем 8000 ГБ Форм-фактор: 3.5" интерфейс SATA: SATA 6Gb/s скорость вращения 5640 об/мин
19500 ₽
Жесткий диск 6TB Western Digital Purple WD60PURZ 3.5"
для систем видеонаблюдения объем 6000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s
12500 ₽
Жесткий диск 2Tb Seagate SkyHawk ST2000VX015
Исполнение внутренний Тип накопителя HDD Назначение для видеонаблюдения Объем 2000 ГБ Форм-фактор 3.5 " Интерфейсы подключения SATA SATA 2 SATA 3 Объем буфера обмена 256 МБ Метод записи SMR Частота вращения шпинделя 5900 об/мин Наработка на отказ ...
6000 ₽
Жесткий диск 2Tb Toshiba L200 HDWL120UZSVA 2.5"
жесткий диск для ноутбука объем 2000 ГБ форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6 Gbit/s Скорость вращения шпинделя 5400 об/мин Объем буферной памяти 128 Мб
7000 ₽
Жесткий диск 500GB Toshiba L200 HDWK105UZSVA 2.5"
1750 ₽
Адаптер-переходник для установки диска SSD M.2 NVMe (M key) в слот PCIe 3.0 X4 X8 X16
форм-фактор: M.2 2280, 2242, 2230, 2260 интерфейс подключения накопителя: M.2 "M-key" интерфейсы подключения: PCIe 3.0 X4 количество отсеков 1 шт. тип охлаждения: пассивное
750 ₽
Жесткий диск 1TB Seagate Barracuda ST1000DM010
жесткий диск для настольного компьютера объем 1000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s
4000 ₽
Жесткий диск 2Tb WD Blue WD20EZBX
емкость: 2 ТБ форм-фактор: 3.5" назначение: для настольного компьютера тип: HDD скорость вращения 7200 об/мин
5800 ₽
Переходники
Переходник жесткого диска Sintech Electronic M.2 (NGFF) SSD as ASUS SSD of UX31, UX21, ADATA XM11 (ST5112B)
1690 ₽
Переходник питания Sintech Electronic SATA 15Pin (Папа) на 2 x SATA 15Pin (Мама)
310 ₽
Display Port to Display Port, 1.8m (012DD-HTN1)
1060 ₽
Кабель 05vx0-aa10-99s DisplayPort (m) miniDisplayPort (m) 1.8м черный
1060 ₽
Кабель Display Port DP — DP 1 м
1060 ₽
Переходник жесткого диска mSATA SSD as SSD 26 Pin of 2012 MacBook PRO Retina
960 ₽
Переходник жесткого диска mini PCI-E mSATA SSD to M.2 (NGFF)
960 ₽
Переходник жесткого диска mini PCI-E mSATA SSD (Half size) to SATA 22 Pin
960 ₽
Адаптер HP Pavilion USB-C to HDMI (2PC54AA)
Адаптер HP USB-C — HDMI позволяет транслировать аудио и видео с ноутбука или планшета на внешний монитор, телевизор или проектор.
2470 ₽
Переходник для установки SSD M.2 2242 в крепление 2280
Адаптер для установки SSD M.2 размером 2242 в слот M.2 размером 2280.
500 ₽
Кабель VGA Buro CAB016S-06 VGA (m) - VGA (m) ферритовый фильтр 1.8м серый
Бренд BURO Модель CAB016S-06 Тип VGA Функциональный тип Кабель Длина товара 1.8 м Разъем 1 VGA (m) Разъём 2 VGA (m) Ферритовые фильтры Да Цвет серый
100 ₽
Xаб Baseus Enjoyment Series Type-C Notebook HUB Adapter (PD/HD4K*2/VGA/RJ45/SD/TF/USB*3/Adapter)Темно-серый
Тип подключения:USB Type C Совместимость:универсальная Разъем USB 3.0:3 Разъем USB Type-C:1 Порт RJ-45:1 Разъем VGA:1 Разъем HDMI:2 Аудиовыход(Combo):1 Картридер SD:1 Картридер microSD:1 Цвет:серый
17000 ₽
Хаб USB Wiwu Linker Pro 12-in-1 USB-C Grey
Переходник - Хаб WiWU Linker 12in1 Pro 2xUSB-A + 2xUSB3.0 + TF/SD Card + LAN + VGA + 2xHDMI + PD100W + USB-C - Два порта USB 3.0, два порта USB 2.0, два порта HDMI, по одниму порту VGA, LAN, USB-C и PD Type C charging, слот для карт памяти SD...
3000 ₽
Переходник жесткого диска Sintech Electronic M.2 (NGFF) SSD as SSD 26 Pin of 2012 MacBook AIR (ST-M2AIR2012)
1500 ₽
Переходник для жесткого диска Sintech Electronic UltraSlim HDD WD5000MPCK, SFF-8784 to SATA 22 Pin PA-WD2SA
Переходник для подключения жесткого диска с разъемом SFF-8784 на SATA 22 pin
1820 ₽
Адаптер Asus HYPER M.2 X16 GEN 4 CARD (90MC08A0-M0EAY0)
Адаптер ASUS HYPER M.2 X16 GEN 4 CARD (90MC08A0-M0EAY0) Четыре порта M.2 с общей пропускной способностью до 256 Гбит/с Поддержка технологии Intel VROC для создания загрузочных RAID-массивов, подключенных по шине PCIe непосредственно к центральн...
3800 ₽
Кабель Type-c - Type-c 1m Black CB-712TC-TC(1.0)-CHP-B (черный)
1280 ₽
Переходник жесткого диска Apple 2013-2014 MacBook AIR / PRO Retina SSD to M.2 (NGFF) SSD
960 ₽
Переходник жесткого диска Apple 2012 MacBook Pro (Retina), AIR SSD to SATA 22 Pin
960 ₽
DDR 5
Оперативная память 32Gb Samsung M425R4GA3BB0-CQKOD DDR5 4800 SODIMM
Тип DDR5 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 32 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность, Мб/с 32000 CAS Latency (CL) 40 Тайминги 40-40-40
9000 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR48S40BS8-16 DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston KVR48S40BS8-16 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность, Мб/с 38400 CAS Latency (CL) 40 Тайминги 40-39-39
4000 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMCG66AGBSA095N DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 8 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц
1500 ₽
Оперативная память 32Gb Kingston ValueRAM KCP548SD8-32 DDR5 5400 SODIMM
8500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR48S40BS6-8 DDR5 4800 SODIMM
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4BB0-CWMOL DDR5 5600 SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 8 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц
1500 ₽
Оперативная память 32Gb Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM0D Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГ Пропускная способность, Мб/с 44800
9500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4BB0-CWMOD DDR5 5600 SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 8 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц
1500 ₽
Оперативная память 16GB Crucial CT16G48C40S5 DDR5 4800 SODIMM CL40
Оригинальный модуль памяти 16Gb Crucial CT16G48C40S5 Память емкость 16 ГБ Форм-фактор SO-DIMM Тип DDR5 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 МБ/с CL 40 Тайминги 40-39-39 Напряжение 1,1 В
3500 ₽
Оперативная память 32GB Crucial CT16G48C40S5 х 2шт DDR5 PC5-4800 SODIMM CL40
Два оригинальных модуля памяти 16Gb Crucial CT16G48C40S5 Память емкостью 16 ГБ 2 штуки для двухканального режима Форм-фактор SO-DIMM Тип DDR5 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 МБ/с CL 40 Тайминги 40-39-39 Напряжение 1,1 В
7000 ₽
Оперативная память 16GB Crucial CT16G56C46S5 DDR5 5600 SODIMM CL46
Оригинальный модуль памяти 16Gb Crucial CT16G56C46S5 Память емкость 16 ГБ Форм-фактор SO-DIMM Тип DDR5 Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность 44800 МБ/с CL 46 Тайминги 46-45-45 Напряжение 1,1 В
4000 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTC8C1084S1SC56BD1 DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron MTC8C1084S1SC56BD1 Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 16 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц CAS Latency (CL) 46
4000 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTC8C1084S1SC48BA1 DDR5 4800 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Micron MTC8C1084S1SC48BA1 Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 16 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с
3600 ₽
Модуль памяти 32Gb Samsung M425R4GA3BB0-CQKOL DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQKOL Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с
9000 ₽
Модуль памяти 8Gb Micron MTC4C10163S1SC56BD1 DDR5 5600 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Micron MTC4C10163S1SC56BD1 Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 8 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц
1200 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMCG66AGBSA092N DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix HMCG66AGBSA092N Объем одного модуля: 8 ГБ Тип: DDR5 SODIMM Тактовая частота: 5600 МГц
1400 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KCP548SS8-16 DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston KCP548SS8-16 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность, Мб/с 38400 CAS Latency (CL) 40
4400 ₽
Оперативная память 32Gb Kingston KVR56S46BD8-32 DDR5 5600 SODIMM CL46
Оригинальный модуль памяти Kingston KVR56S46BD8-32 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 32 ГБ Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность, Мб/с 44800 CAS Latency (CL) 46
10000 ₽
Для ноутбуков (SODIMM)
Оперативная память 2GB Elpida EBE21UE8ACUA-8G DDR2 800 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR2объем модуля 2 ГБформ-фактор SODIMM, 200-контактныйчастота 800 МГц
600 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125S64CP8-Y5 DDR2 667 SODIMM
600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
1000 ₽
Оперативная память 4Gb RAMAXEL DDR3 1600 SODIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор SODIMM, 204-контактныйчастота 1333 МГц16 chip
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR1333D3S9/8G DDR3 1333 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273CH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
1300 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LS11/8 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1100 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143EB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
750 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMA82GS6DJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память PC2-5300 667MHz
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 667 МГц CAS Latency (CL): 5
700 ₽
Оперативная память 2Gb Nanya DDR2 800 SODIMM
объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400
600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
800 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
790 ₽
Оперативная память 8GB Kingston KTD-L3CL/8G DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73DB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73QH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2000 ₽
Процессоры (CPU)
Процессор Intel Core i3-2100 (LGA1155, 3.1GHz/3Mb/65 Вт) Tray (Sandy Bridge)
600 ₽
Процессор AMD Ryzen 7 3800XT BOX (BOX)
сокет: AM4 8-ядерный процессор, 3900 МГц техпроцесс 7 нм тепловыделение 105 Вт объем кэша L2/L3: 4 МБ/32 МБ
11800 ₽
Процессор AMD Ryzen 7 3800XT BOX (OEM)
сокет: AM4 8-ядерный процессор, 3900 МГц техпроцесс 7 нм тепловыделение 105 Вт объем кэша L2/L3: 4 МБ/32 МБ
11800 ₽
Процессор Intel Core i7-12700KF 3.6GHz
комплектация: BOX сокет: LGA1700 количество ядер: 12 частота 3600 МГц техпроцесс 10 нм
25000 ₽
Процессор Intel Xeon 2.8 GHz Socket PPGA603 BX80532KC2800FSL6YL
SL6YL 2800MP-2ML3-400-1.475V BX80532KC2800FSL6YL
2000 ₽
Процессор Intel Core i5-14600K OEM LGA1700
Ядро: Raptor Lake Частота: 3.5 ГГц и 5.3 в режиме Turbo Сокет: LGA 1700 Число ядер: 14, потоков 20 Число энергоэффективных ядер: 8 Частота энергоэффективных ядер: 2.6 ГГц и 4 ГГЦ в режиме Turbo Тепловыделение: 125 Вт Техпроцесс: 10 нм
21500 ₽
Intel Core i3-550 3.2 GHz 2core SVGA HD Graphics 0.5+ 4Mb 73W 2.5 GT s LGA1156
Наименование: Core i3-550 Ядро: Clarkdale Количество ядер: 2 Техпроцесс, нм: 32 high-k Разъем: LGA 1156 Частота, МГц: 3200 Множитель: 24 FSB/HT/QPI: 2.5 GT/s кэш L1, КБ: 32+32 x2 кэш L2, КБ: 256x2 кэш L3, КБ: 4096 Напряжение питания, В: 0.65~1.400
500 ₽
Процессор Intel Core i5-2300 2800MHz LGA1155
1000 ₽
Процессор Intel Core i5-4570 3200MHz LGA1150 (OEM)
4-ядерный процессор, Socket LGA1150 частота 3200 МГц объем кэша L2/L3: 1024 КБ/6144 КБ ядро Haswell (2013) техпроцесс 22 нм интегрированное графическое ядро встроенный контроллер памяти
2000 ₽
Процессор Intel Xeon E5-2630 V4 2200 MHz 10core LGA2011-3
Процессор Процессор E5-2630v4 Линейка процессоров Intel Xeon Сокет LGA 2011-3 Тактовая частота процессора 2300 МГц Максимальное число потоков 20 Максимальная частота в турбо режиме 3100 МГц Дополнительная информация...
500 ₽
Процессор Intel Core i3-4160 3.6 GHz LGA1150 (OEM)
2-ядерный процессор, Socket LGA1150 частота 3600 МГц объем кэша L2/L3: 512 Кб/3072 Кб ядро Haswell (2013) техпроцесс 22 нм
1300 ₽
Процессор Intel Core i5-3570 3.4 GHz / 4core / LGA1155
2500 ₽
DDR 3
Оперативная память 4Gb Kingston CBD16D3LS1KBG/4 DDR3 1600 SODIMM
тип: DDR3 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
500 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KTL-TP3B/4G DDR3 1333 SODIMM
2500 ₽
Оперативная память 2Gb Nanya NT2GC64B88G0NS-DI DDR3 1600 SODIMM
410 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial BLS4G3N169ES4 DDR3L 1600 SODIMM CL9
Объем одного модуля 4 ГБ Тип DDR3L SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 9-9-9-24 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800 Особенности радиатор
1300 ₽
4Gb Elixir DDR3 1600 DIMM (M2X4G64CB8HG9N-DG)
M2X4G64CB8HG9N-DG
700 ₽
Оперативная память 4Gb 1600MHz Apacer AU04GFA60CATBGC DDR3 1600 DIMM
Оригинальный модуль Apacer AU04GFA60CATBGC тип памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
400 ₽
Модуль памяти 4Gb Kingston SNY1600S11-4G-EDEG DDR3 1600 SODIMM
900 ₽
Модуль памяти 4Gb Kingston ACR16D3LS1KDGR/4G DDR3 1600 SODIMM
1000 ₽
Модуль памяти 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G9E2 DDR3 1866 SODIMM
1000 ₽
Модуль памяти 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G9P1 DDR3 1866 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1866 МГц
1000 ₽
Модуль памяти 4Gb Kingston ACR512X64D3U16C11G DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
600 ₽
Cистемы охлаждения
Охлаждение для видеокарт Apack ZEROtherm VGA Cooler GX710
900 ₽
Кулер для процессора Zalman CNPS90F
Игровой: да кулер для процессора Intel: LGA775, LGA1150/1151/1155/1156, LGA1356/1366 AMD: AM2, AM2+, AM3/AM3+/FM1, FM2/FM2+, S754, S939, S940 1 вентилятор 90 мм скорость 2300 об/мин радиатор из алюминия уровень шума 29 дБ
750 ₽
Кулер для процессора TITAN TTC-NC65TX (RB)
максимальная рассеиваемая мощность (TDP) 105 Вт высота кулера 130 мм сокет AM2, AM3, AM3+, AM2+, LGA 1151, LGA 1150, FM1, LGA 1155, LGA 1156, LGA 1356, LGA 1151-v2, LGA 1366, LGA 775, 940, 754, 939, LGA 1200 количество тепловых трубок 2 материал р...
1820 ₽
Кулер для корпуса ID-COOLING SE-214-XT
2800 ₽
Вентилятор Arctic Cooling F12 Pro
Количество вентиляторов 1 Диаметр вентилятора 120 Скорость 500-1500 об/мин, регулятор оборотов Воздушный поток 54 CFM Тип коннектора 3-pin PWM Тип подшипника гидродинамический
350 ₽
Радиатор диска SSD M.2 NVMe 2280
Радиатор для диска M.2 2280 с термоинтерфейсом
500 ₽
Кулер Nidec Ultra W40S12BS4A5-57 40x28 12v 1.05A
1000 ₽
Блоки питания
Блок питания Thermaltake Smart Pro RGB Bronze 750W / 80+ Bronze
9500 ₽
Блок питания Zalman ZM700-LX3 700W ATX 24+2x4+4x6 / 8пин
Бренд Zalman Цвет черный Мощность 700 Вт Версия ATX12V 2.3 Форм-фактор ATX PFC активный Система охлаждения 1 вентилятор Тип разъема для материнской платы 20+4 pin Количество разъемов 4-pin CPU 1 Количество разъемов 8-pin CPU 1 Количество разъемов ...
6000 ₽
Блок питания Lenovo 4X20M26272 для ноутбуков Lenovo USB-C 65W
совместимость: Lenovo мощность 65 Вт входное напряжение: 100-240 В USB Type C
3000 ₽
Кабель силовой HP 100614-009 1.8m
HP C13 To Euro Plug 10A 250v 180cm/1,8m
190 ₽
Блок питания Supermicro PWS-505P-1H 500W
12500 ₽
Сетевое оборудование
Сетевая карта Intel PWLA8391GT PCI 1000 Мбит/с
сетевая карта, интерфейс PCI 2.3 скорость 10/100/1000 Мбит/с чип Intel 82541PI буфер 64 КБ 1 разъем RJ-45
1500 ₽
Wi-Fi роутер ASUS WL-700gE Диск IDE 250Gb
Технические характеристики: WAN: один порт Ethernet 10/100 Мбит/с с поддержкой функции auto crossover (MDI-X); LAN: 4 порта RJ45 Ethernet 10/100 Мбит/с с поддержкой функции auto crossover (MDI-X); Антенны: 2 антенны (одна внутренняя, одна вне...
7000 ₽
Сетевая карта HP PCI Express Quad Port Gigabit Server Adapter (Intel)
5500 ₽
Хаб Baseus Enjoy Series Type-C to RJ45 - Серый (CAHUB-H0G)
Хаб Baseus Enjoy Series CAHUB-H0G заменяет отсутствующий в ноутбуке Ethernet-порт и позволяет подключить проводной интернет к ноутбуку с разъемом USB Type-C. Переходник миниатюрный и легкий. Состоит из двух частей: пластикового корпуса с разъемом...
3000 ₽
DDR 2
Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663QZ3-CF7 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
700 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston HPK800D2S6/2G DDR2 PC2-6400 800 SODIMM
700 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663EH3-CF7 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
800 ₽
Для ПК (DIMM)
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11/4 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
700 ₽
Оперативная память 4Gb HP MT36HTF51272FZ-667H1D6 DDRII FB-DIMM
Производитель Micron for HP Модель MT36HTF51272FZ-667H1D6 Для серверов 3Par V400 V800 StoreServ 10800 10400 Тип памяти FB-DIMM Объем 4Gb Вид Памяти DDRII Скорость 667 Расшифовка PC2-5300F Назначение DIMM для сервера
1000 ₽
Модуль памяти 4Gb Kingston DIMM PC3L-12800 1600MHz KP4T2F-PSBS
600 ₽
Контроллеры
Контроллер PCI STLab I-142 PCI 2xCOM9M
Основные характеристики Интерфейс PCI Количество поддерживаемых устройств с прямым подключением 2 шт Внешние порты COM (serial, DB9, RS232) 2 шт
1100 ₽
USB Кабель-адаптер USB AM - LPT port 25 pin
500 ₽
Плата MOXA CP-168U w/o Cable 8-port RS-232
8-портовая плата RS-232 (без кабеля)
6000 ₽
Материнские платы
Материнская плата GIGABYTE GA-H81M-D2V LGA1150 MicroATX 2DDR3 OEM
2500 ₽
ASUS P8H61-M LE2 USB3 LGA1155 < H61 > PCI-E+Dsub GbLAN SATA MicroATX 2DDR3@
2200 ₽
GIGABYTE GA-Z77MX-D3H / INTEL LGA1155 Z77 / uATX /
3500 ₽
IDE
Модуль памяти TS128MDOM40V-S, 128 Мб, вертикальный, 40 Pin, IDE
DOM модули с интерфейсом IDE 40 pin модель TS128MDOM40V-S емкость 128Мб
2500 ₽
Накопитель Flash Module FDM 128MB Vertical IDE 40Pin (V40X2)
500 ₽
USB Flash drive
USB Flash накопитель 256Gb Sandisk Ultra Flair SDCZ73-256G-G46 USB 3.0
2700 ₽
USB 3.2 64GB Kingston DataTraveler Exodia чёрный/бирюзовый (DTX/64GB)
Бренд Kingston Объем памяти 64 ГБ Интерфейс USB 3.2 Gen 2x2 Скорость чтения данных 70 МБ/с Скорость записи данных 10 МБ/с
750 ₽
Корпуса и док-станции для жестких дисков
Сетевое хранилище MATCH TECH USB NAS STATION (ANAS-E1-3U1Z-1ALN-EU-BC01)
Описание: USB NAS станция с тремя портами USB и одним eSATA/USB комбо-портом для дома или малого офиса. Поддержка работы с USB/eSATA внешними HDD и USB принтерами (принт-сервер с LPR). Web Server (HTTP)/BitTorrent download station/iTunes Server...
800 ₽
Внешний корпус M.2 (NGFF) NVMe SSD J60A USB3.2 Type-C 10 Гбит / с
Установка без инструментов, быстрая установка и снятие твердотельных накопителей без каких-либо инструментов. Ультратонкий корпус из алюминиевого сплава, прочный и удобный.Портативный, но прочный, для путешествий. USB 3.2 поддерживает скорость пер...
1900 ₽
Видеокарты
Видеокарта PNY Quadro K600
Тип памяти GDDR3 Объем видеопамяти 1024 МБ Разрядность шины памяти 160 бит Тип подключения PCI-E x16 2.x Разъемы и интерфейсы Выход DisplayPort, выход DVI-I Карта была в пользование, вид как новая.
1500 ₽
Для компьютеров (3.5")
Жесткий диск 320Gb Seagate Barracuda ST320DM000 3.5" 7200rpm 16Mb
Бренд SEAGATE Модель ST320DM000 Тип жесткого диска HDD Форм-фактор 3.5 " Объем накопителя 320 ГБ Буферная память 16 МБ Скорость вращения шпинделя 7200 об/мин Интерфейс SATA III
2000 ₽
Для ноутбуков (2.5")
Жесткий диск 160Gb Western Digital Scorpio Blue WD1600BPVT 2.5" 5400rpm 8Mb
2200 ₽
Компьютерные корпуса
mATX Yuhanhi Tec U701 60W
3200 ₽
Форм-фактор 2.5"
Твердотельный накопитель 1Тб Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW
ssd samsung 870 evo 1tb форм-фактор: 2.5"емкость: 1000 ГБскорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/синтерфейс подключения: SATA 6Gb/sвремя наработки на отк...
8000 ₽
Обновлено вчера. Источник: Представитель организации